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晶圆切割划片机的逻辑工艺生长偏向

来源: 国产划片机 宣布时间:2023-04-02

每代逻辑工艺的提升,最要害的照旧硬件基础,从90年代的i线光刻机、到厥后的KrF、ArF,以及现在逐渐成为主流的EUV光刻机。光刻机关于逻辑工艺的生长无疑是巨大的,而紧跟最新逻辑工艺的晶圆厂也为光刻机公司孝敬了2/3以上的销售额。那么晶圆切割划片机用于半导体晶圆、集成电路、QFN、发光二极管、LED芯片、太阳能电池、电子基片等的划切,适用于包括硅、石英、 氧化铝、氧化铁、砷化镓、铌酸锂、蓝宝石和玻璃等质料。其事情原理是通过空气静压主轴发动金刚石砂轮划切刀具高速旋转,将晶圆或器件沿切割道偏向进行切割或开槽。

国产化随着减薄工艺技术的生长以及叠层封装技术的成熟,芯片厚度越来越薄。同时晶圆直径逐渐变大,单位面积上集成的电路更多,留给支解的划切道空间变得更小,技术的更新对设备提出了更高的性能要求,作为IC后封装生产历程中要害设备之一的划片机,也随之由6英寸、8英寸生长到12英寸。国际封装行业的竞争异常猛烈,海内封装企业迫切需要价廉物美的国产晶圆划片机替代进口机型,在降低设备投入的同时,进一步增强自主封装工艺技术的研究和开发能力,从而有效提升海内封装企业的国际竞争力和生长后劲。

晶圆切割划片机的逻辑工艺生长偏向

刀片切割要领包括一次切割和分步连续切割。效率高、本钱低、使用寿命长。它是使用最广泛的切割工艺,在较厚的晶圆(>;100微米)上具有优势。激光切割具有高精度和高速度。它主要适用于切割较薄的晶圆(<;100微米)。切割较厚的晶片时,保存高温损坏晶片的问题,需要刀片进行二次切割。别的,激秃顶价格腾贵,使用寿命短。目前,刀片切割占市场份额的80%,激光切割仅占20%。刀片切割预计将恒久坚持主流模式。

影响国产晶圆切割质量的因素许多,包括质料、切割仪器、事情情况、切割要领等因素。从质料的角度来看,硅片的硅衬底和电路层质料在硅片切割历程中会导致差别的机械性能。差别质料的刀片的选择会对切割要领有差别的要求,因此会体现出差别的切割质量。从切割仪器的角度来看,由于差别机械的切割功率差别,切割台的选择也会影响切割质量。从事情情况来看,冷却水的压力和流量是影响切削质量的因素。水流速度过慢会导致冷却效果缺乏,切割摩擦爆发的热量难以实时排出和积累,可能导致金刚石磨粒破碎,降低刀片的切割能力和切割精度,并因切割碎屑无法实时清除而影响刀片的切割能力。从切割方法来看,主要涉及切割深度、刀片转速和进给速度。适当的参数关于获得良好的切削质量很是重要。其他因素,如机械操作技术,也会影响晶圆切割质量。

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